型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5V15165+¥2.106025+¥1.950050+¥1.8408100+¥1.7940500+¥1.76282500+¥1.72385000+¥1.708210000+¥1.6848
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET94495+¥2.187025+¥2.025050+¥1.9116100+¥1.8630500+¥1.83062500+¥1.79015000+¥1.773910000+¥1.7496
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能406910+¥8.9280100+¥8.4816500+¥8.18401000+¥8.16912000+¥8.10965000+¥8.03527500+¥7.975710000+¥7.9459
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFET OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能386310+¥7.3560100+¥6.9882500+¥6.74301000+¥6.73072000+¥6.68175000+¥6.62047500+¥6.571410000+¥6.5468
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD50P04P4-13 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V96305+¥5.413525+¥5.012550+¥4.7318100+¥4.6115500+¥4.53132500+¥4.43115000+¥4.391010000+¥4.3308
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能57815+¥3.861025+¥3.575050+¥3.3748100+¥3.2890500+¥3.23182500+¥3.16035000+¥3.131710000+¥3.0888
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品类: MOS管描述: N沟道 30 V 65 W 8.5 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA76605+¥4.063525+¥3.762550+¥3.5518100+¥3.4615500+¥3.40132500+¥3.32615000+¥3.296010000+¥3.2508
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR120NTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 10A, D-PAK865610+¥8.3160100+¥7.9002500+¥7.62301000+¥7.60912000+¥7.55375000+¥7.48447500+¥7.429010000+¥7.4012
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R45635+¥2.335525+¥2.162550+¥2.0414100+¥1.9895500+¥1.95492500+¥1.91175000+¥1.894410000+¥1.8684
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能75481+¥69.943010+¥66.9020100+¥66.3546250+¥65.9289500+¥65.25991000+¥64.95582500+¥64.53005000+¥64.1651
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能47495+¥4.509025+¥4.175050+¥3.9412100+¥3.8410500+¥3.77422500+¥3.69075000+¥3.657310000+¥3.6072
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品类: MOS管描述: N-沟道 60 V 3.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F7 功率 Mosfet - DPAK-3678010+¥11.1720100+¥10.6134500+¥10.24101000+¥10.22242000+¥10.14795000+¥10.05487500+¥9.980310000+¥9.9431
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD770N15A, 11.4 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装11585+¥3.753025+¥3.475050+¥3.2804100+¥3.1970500+¥3.14142500+¥3.07195000+¥3.044110000+¥3.0024
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品类: MOS管描述: N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics83855+¥4.293025+¥3.975050+¥3.7524100+¥3.6570500+¥3.59342500+¥3.51395000+¥3.482110000+¥3.4344
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics86295+¥4.293025+¥3.975050+¥3.7524100+¥3.6570500+¥3.59342500+¥3.51395000+¥3.482110000+¥3.4344
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品类: MOS管描述: 单 P沟道 150 V 110 W 66 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAK91545+¥4.900525+¥4.537550+¥4.2834100+¥4.1745500+¥4.10192500+¥4.01125000+¥3.974910000+¥3.9204
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品类: MOS管描述: P沟道,Vdss=60V,Idss=7.2A75865+¥1.647025+¥1.525050+¥1.4396100+¥1.4030500+¥1.37862500+¥1.34815000+¥1.335910000+¥1.3176
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品类: MOS管描述: MOSFET 晶体管,Infineon (IR) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。45285+¥4.117525+¥3.812550+¥3.5990100+¥3.5075500+¥3.44652500+¥3.37035000+¥3.339810000+¥3.2940
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLR2908TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 V98125+¥3.037525+¥2.812550+¥2.6550100+¥2.5875500+¥2.54252500+¥2.48635000+¥2.463810000+¥2.4300
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R22965+¥5.683525+¥5.262550+¥4.9678100+¥4.8415500+¥4.75732500+¥4.65215000+¥4.610010000+¥4.5468
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品类: MOS管描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 23A; D-Pak (TO-252AA); PD 45W19185+¥5.076025+¥4.700050+¥4.4368100+¥4.3240500+¥4.24882500+¥4.15485000+¥4.117210000+¥4.0608
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R35235+¥5.562025+¥5.150050+¥4.8616100+¥4.7380500+¥4.65562500+¥4.55265000+¥4.511410000+¥4.4496
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET40485+¥3.159025+¥2.925050+¥2.7612100+¥2.6910500+¥2.64422500+¥2.58575000+¥2.562310000+¥2.5272
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET92455+¥4.360525+¥4.037550+¥3.8114100+¥3.7145500+¥3.64992500+¥3.56925000+¥3.536910000+¥3.4884
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品类: MOS管描述: P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V57225+¥5.076025+¥4.700050+¥4.4368100+¥4.3240500+¥4.24882500+¥4.15485000+¥4.117210000+¥4.0608
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品类: MOS管描述: P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V51045+¥4.117525+¥3.812550+¥3.5990100+¥3.5075500+¥3.44652500+¥3.37035000+¥3.339810000+¥3.2940
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品类: MOS管描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 27A; D-Pak (TO-252AA); PD 68W89685+¥5.413525+¥5.012550+¥4.7318100+¥4.6115500+¥4.53132500+¥4.43115000+¥4.391010000+¥4.3308
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品类: MOS管描述: 100V,31A,N沟道MOSFET721810+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
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品类: MOS管描述: IRFR2405TRPBF 编带99705+¥3.928525+¥3.637550+¥3.4338100+¥3.3465500+¥3.28832500+¥3.21565000+¥3.186510000+¥3.1428